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砷化镓中广延缺点的光致发光研讨

发布时间:2022-09-23 15:03:22 | 作者:火狐直播 点击量: 117
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  选用大视场光致发光和电致发光实时光谱成像快速检测GaInP/GaAs/GaInP双异质结样品及太阳能电池器材GaAs层中孤立的广延缺点,并运用不同激光功率对样品进行激起,依据广延缺点的空间分辩光致发光光谱成像行为探讨了砷化镓中载流子的分散特性.试验结果表明,当激起光功率密度较小时,因为激起点邻近点缺点的非辐射复合竞赛降低了光生载流子的平均寿命,然后使得分散长度急剧减小.只有当激起光功率密度超越一个阈值使得点缺点态饱满后,载流子的长距离分散才干变为或许.此外,依据光激起一维分散模型求解分散方程得出比照函数的指数表达形式,并由广延缺点区域光致发光强度的径向散布导出比照函数值,经过函数拟合估算出砷化镓样品的有用分散长度.

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